產(chǎn)品名 | 晶體管 Infineon IRF7853TRPBF | |
閾值電壓Vgs(th) | 4.9V@100μA | |
FET類型 | N溝道 | |
包裝 | 剪切帶（CT） ,帶卷（TR） | |
不同 Id，Vgs時的 RdsOn（最大值） | 18毫歐@8.3A，10V | |
漏源極電壓（Vdss） | 100V | |
是否無鉛 | 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求 | |
系列 | HEXFET? | |
零件狀態(tài) | 在售 | |
工作溫度(Tj) | -55°C~150°C | |
安裝類型 | 表面貼裝(SMT) | |
封裝/外殼 | SOT96-1 |
產(chǎn)品名 | 晶體管 Infineon IRF7853TRPBF | |
閾值電壓Vgs(th) | 4.9V@100μA | |
FET類型 | N溝道 | |
包裝 | 剪切帶（CT） ,帶卷（TR） | |
不同 Id，Vgs時的 RdsOn（最大值） | 18毫歐@8.3A，10V | |
漏源極電壓（Vdss） | 100V | |
是否無鉛 | 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求 | |
系列 | HEXFET? | |
零件狀態(tài) | 在售 | |
工作溫度(Tj) | -55°C~150°C | |
安裝類型 | 表面貼裝(SMT) | |
封裝/外殼 | SOT96-1 |
