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專業(yè)代理銷售電子元器件、集成電路、連接器件、電源模塊等,主要品牌有TI, Nexperia, ST,
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描述
IRF640NPBF
制造商型號: IRF640NPBF 制造商: Infineon 封裝/規(guī)格: SOT78,TO-220AB,SC-46 供應商編號: IRF640NPBF 商品描述:N溝道 VDS=200V VGS=±20V ID=18A
  • 寶貝詳情
  • Datasheet
  • 產品分類

    MOS場效應管(單) Infineon IRF640NPBF

    閾值電壓Vgs(th)

    4V@250μA

    漏極電流Idss

    0.25mA

    FET類型

    N溝道

    包裝

    管件 

    不同 Id,Vgs時的 RdsOn(最大值)

    150毫歐@11A,10V

    漏源極電壓(Vdss)

    200V

    是否無鉛

    無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范要求

    系列

    HEXFET?

    零件狀態(tài)

    在售

    漏源電壓(Vdss)

    200V

    連續(xù)漏極電流Id@25℃

    18A

    導通電阻Rds On(Max)

    150mΩ

    柵極電荷(Qg)(Max)

    67nC

    輸入電容(Ciss)(Max)

    1160pF

    功率(Max)

    150W

    工作溫度(Tj)

    -55°C~175°C

    安裝類型

    通孔(THT)

    封裝/外殼

    SOT78,TO-220AB,SC-46


    產品分類

    MOS場效應管(單) Infineon IRF640NPBF

    閾值電壓Vgs(th)

    4V@250μA

    漏極電流Idss

    0.25mA

    FET類型

    N溝道

    包裝

    管件 

    不同 Id,Vgs時的 RdsOn(最大值)

    150毫歐@11A,10V

    漏源極電壓(Vdss)

    200V

    是否無鉛

    無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范要求

    系列

    HEXFET?

    零件狀態(tài)

    在售

    漏源電壓(Vdss)

    200V

    連續(xù)漏極電流Id@25℃

    18A

    導通電阻Rds On(Max)

    150mΩ

    柵極電荷(Qg)(Max)

    67nC

    輸入電容(Ciss)(Max)

    1160pF

    功率(Max)

    150W

    工作溫度(Tj)

    -55°C~175°C

    安裝類型

    通孔(THT)

    封裝/外殼

    SOT78,TO-220AB,SC-46


  • 1、IRF640NPBF.pdf
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